Учёные приоткрыли тайну колоссального магнитного сопротивления - 18 Марта 2009 - Изобретения - в жизнь!

Изобретения -в жизнь!



Наш опрос

Оцените мой сайт
Всего ответов: 199

Статистика


Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Главная » 2009 » Март » 18 » Учёные приоткрыли тайну колоссального магнитного сопротивления
09:40
Учёные приоткрыли тайну колоссального магнитного сопротивления

Учёные из Национальной лаборатории Брукхэвен (Brookhaven National Laboratory) провели серию экспериментов, которая помогла учёным понять, каким образом некоторые материалы могут менять своё электросопротивление на несколько порядков под действием внешних магнитных и электрических полей (появление колоссального магнитного сопротивления — КМС).

Небольшое изменение сопротивления (до 5 процентов от начального) под действием внешних полей может происходить во многих материалах. Однако в 1993 году было открыто явление КМС, и до сих пор ни одна физическая теория не может объяснить его. В то же время понимание происходящих при КМС процессов поможет учёным в создании новых технологий хранения данных с большей плотностью и меньшим потреблением энергии, чем в современных носителях.

Команда учёных под руководством Имэй Чжу (Yimei Zhu) исследовала кристаллический образец манганита с перовскитной структурой при помощи различных методов электронной микроскопии.

Учёные придумали необычный эксперимент: сканирующий туннельный микроскоп встроили в электронный микроскоп и, таким образом, воздействуя на образец, сразу получили картину его отклика на атомном уровне.

С помощью такого необычного метода (подробнее о нём – в пресс-релизе лаборатории) физики впервые получили прямое подтверждение того, что короткие электрические импульсы, подведённые к электроду туннельного микроскопа, искажают кристаллическую решётку вещества. Кроме того, это искажение сопровождается движением квазичастиц поляронов (они представляют собой движущиеся совместно электроны и фононы – упругие колебания решётки).

Если представить, что поляроны составляют некий материал (квазивещество), получается, что группа Чжу наблюдала его плавление, сходное с переходом из твёрдого в жидкое состояние. Видимо, именно этот процесс является ключевым в эффекте КМС.

Учёные изучили также поведение поляронов,и то, как электрическое поле, ток и температура влияют на процесс перехода.

Использование эффекта колоссального магнитосопротивления позволит не только уменьшить размеры электрических схем и снизить потребление ими энергии, но и открывает возможности создания новых транспортных средств на магнитной подушке,создание новых видов генераторов электроэнергии и т.д. Поэтому данная работа окажет влияние на развитие различных компьютерных технологий и на применение материалов с эффектом КМС в электронных и спинтронных устройствах Для создания компьютерной памяти, данные в которой будут сохраняться и при выключении питания (например, RRAM — resistive random access memory).

Данная работа выполнена в сотрудничестве с Кристианом Йоосом (Christian Jooß) из Института физики материалов (Institut für Materialphysik) и учёными из университета Гёттингена (Georg-August-Universität Göttingen).

Статья, посвящённая новому открытию, опубликована в "Слушаниях национальной академии наук США" (Proceedings of the National Academy of Sciences).


Источник www.membrana.ru

Просмотров: 607 | Добавил: patent | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0

Вход на сайт

Поиск

Календарь

«  Март 2009  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
      1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031

Архив записей

Друзья сайта

  • Создать сайт